“半导体纳米晶体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果937920个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件-CN201910140377.X在审
发明人： J.A.金;元裕镐;金星祐;金泰亨;李晶姬;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；包围所述芯的第一壳，所述第一壳包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成；包围所述第一壳的第二壳，所述第二壳包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙；和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。
半导体纳米晶体能带隙发光器件量子点包围制造

[发明专利]半导体纳米晶体及其制备方法-CN201080039453.5有效
发明人：张银珠;洪锡焕;田信爱;章效淑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：半导体纳米晶体及其制备方法，其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。
半导体纳米晶体及其制备方法

[发明专利]半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元-CN201410525122.2有效
发明人：元那渊;康玄雅;张银珠;田信爱;O.曹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C08F126/06 文献下载
摘要：本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体‑聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体‑聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体
半导体纳米晶体组合聚合物复合物用于液晶显示器件背光单元

[发明专利]显示器件-CN201810952629.4有效
发明人：元那渊;康玄雅;张银珠;田信爱;O.曹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体‑聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体‑聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体
显示器件

[发明专利]量子点、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子设备-CN202110839147.X在审
发明人：闵智玄;张银珠;金龙郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；在所述芯上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体包括III‑VI族化合物；和在所述第一壳上的包括第三半导体纳米晶体的第二壳，所述第三半导体纳米晶体具有与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成；其中所述第一半导体纳米晶体和所述第三半导体纳米晶体之一包括III‑V族化合物。
量子以及包括聚合物复合物电子设备

[发明专利]一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法-CN201711000112.7有效
发明人：唐智勇;高小青 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种手性II‑VI族半导体纳米晶体及其制备方法。所述手性II‑VI族半导体纳米晶体由II‑VI族半导体纳米晶体和包裹在所述II‑VI族半导体纳米晶体上的手性氨基酸组成，II‑VI族半导体纳米晶体和手性氨基酸的摩尔比比为4.5:1‑4.5:2。制备方法包括：1)制备II‑VI族半导体纳米晶体；2)将步骤1)得到的半导体纳米晶体在隔绝空气的条件下与除氧后的手性氨基酸在碱性条件下反应，得到手性II‑VI族半导体纳米晶体。本发明提供的手性II‑VI族半导体纳米晶体的光学活性极高，本发明的制备方法操作简单，成本低，制备得到的产品组成、性质多样，应用范围广，有较大的发展空间。
一种手性 ii vi 半导体纳米晶体及其制备方法

[发明专利]核壳型量子点及核壳型量子点的制造方法-CN202080082454.1在审
发明人：青木伸司;野岛义弘;鸢岛一也 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明为一种核壳型量子点，其包含：至少包含In及P且以第III‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且以第II‑VI族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳，在所述半导体纳米晶体核与所述半导体纳米晶体壳之间，具有缓冲层，所述缓冲层包含以第II‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体。由此，本发明可提供一种将第III‑V族半导体纳米晶体用作核且荧光发光效率得到提高的量子点。
核壳型量子制造方法

[发明专利]量子点、包括其的组合物或复合物以及包括其的显示装置-CN201910622025.8有效
发明人：高劳姆·朴;金泰坤;安珠娫;金智荣;元那渊;田信爱 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：公开了量子点、量子点聚合物复合物和包括量子点聚合物复合物的显示装置，其中，量子点包括：半导体纳米晶体核，包括铟(In)和磷(P)；第一半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；以及第二半导体纳米晶体壳，设置在第一半导体纳米晶体壳上，第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中，量子点不包括镉，其中，在量子点中，硫对硒的摩尔比小于或等于大约2.5:1。
量子包括组合复合物以及显示装置

[发明专利]纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体-聚合物复合物和电子器件-CN202010306370.3在审
发明人：闵智玄;张银珠;金龙郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：公开纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体‑聚合物复合物和电子器件。所述纳米片包括：包括第一半导体纳米晶体的二维模板；以及设置在所述二维模板的表面上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第二半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，并且其中所述纳米片不包括镉。
纳米制造方法以及包括半导体晶体聚合物复合物电子器件

[发明专利]量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置-CN202011065092.3在审
发明人：安珠娫;李锺敏;金泽勋;田信爱;金泰坤;高劳姆·朴 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：所述量子点包括：纳米颗粒模板，包括包含II‑VI族化合物的第一半导体纳米晶体；量子阱，包括第二半导体纳米晶体并设置在纳米颗粒模板上，第二半导体纳米晶体包括除了铝之外的IIIA族金属和V族元素；以及壳，包括第三半导体纳米晶体并设置在量子阱上，第三半导体纳米晶体包括II‑VI族化合物，其中，量子点不包括镉，第二半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，第二半导体纳米晶体的带隙能比第三半导体纳米晶体的带隙能小，量子点包括附加金属，
量子包括组合图案显示装置

[发明专利]量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置-CN202110274434.0在审
发明人：安珠娫;杨惠渊;金泰坤;李锺敏;田信爱 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：公开了一种量子点、包括该量子点的量子点聚合物复合物和显示装置，其中，量子点包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。
量子包括聚合物复合物显示装置

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202210042629.7在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：集成电路包括第一纳米结构晶体管和第二纳米结构晶体管。当形成集成电路时，片间填充层沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间。第一栅极金属层沉积在第一纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间，同时片间填充层沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间。片间填充层用于确保第一栅极金属不会沉积在第二纳米结构晶体管的半导体纳米结构之间。集成电路包括：包括多个第一半导体纳米结构的第一纳米结构晶体管；包括多个第二半导体纳米结构的第二纳米结构晶体管；位于第二半导体纳米结构之间的片间填充层；以及位于第一半导体纳米结构之间和在第二半导体纳米结构的侧面上的第一栅极金属层
集成电路及其形成方法

[发明专利]具有纳米晶体核和纳米晶体壳的带绝缘体涂层的半导体结构-CN201280065164.1在审
发明人：朱厄妮塔·库尔京;马修·J·卡里洛;史蒂文·休斯;布赖恩·西奥博尔德;科林·里斯;朴欧浩;杰奥尔杰塔·马松 -专利权人：太平洋光技术公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：描述了具有纳米晶体核和相应的纳米晶体壳以及绝缘体涂层的半导体结构。在实例中，半导体结构包括由第一半导体材料组成的并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。所述半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。绝缘体层封装所述纳米晶体壳和所述各向异性纳米晶体核。
具有纳米晶体绝缘体涂层半导体结构

[发明专利]具有纳米晶体核和纳米晶体壳的半导体结构-CN201280064403.1在审
发明人：朱厄妮塔·库尔京;马修·J·卡里洛;史蒂文·休斯 -专利权人：太平洋光技术公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：描述了具有纳米晶体核和相应的纳米晶体壳的半导体结构。在实例中，半导体结构包括由第一半导体材料组成并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。所述半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。
具有纳米晶体半导体结构

[发明专利]纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管-CN200510018700.4无效
发明人：张洪涛;许辉 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合各种半导体技术工艺，用纳米线碳化硅构造碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管可以分为单纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管和多纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管具有耐高温、耐苛刻环境、耐高电压和低导通电阻等一系列特点，广泛用于电力电子领域。
纳米碳化硅金属半导体场效应晶体管

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条